تکه هایی از متن به عنوان نمونه :
(ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است)
یک مطلب دیگر :
تکه هایی از متن به عنوان نمونه :
(ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است)
چکیده
فناوری Si CMOS به دلیل مصرف توان پایین، تراکم بالای تراشه ها، نویز پایین و قابلیت اطمینان به عنوان فناوری غالب در عرصه VLSI شناخته شده است. در گذشته تحقیقات گسترده بر روی سیلیسیم تحت کرنش رشد چشم گیری یافته است. در این پایان نامه، ساختار جدیدی معرفی می گردد که محدودیت قاعده مقیاس بندی را از طریق تلفیق کرنش با مهندسی زیرنوار، تا حدود زیادی مرتفع می سازد. این ساختار ترانزیستور MOSFET با کانال کرنش یافته و پیوند ناهمگون در سورس می باشد.
افزاره مورد بررسی، عملکرد بهتر و سرعت بالایی نسبت به افزاره های CMOS توده ای دارد. علاوه بر این، فرایند ساخت این افزاره با فناوری ساخت CMOS کاملا منطبق می باشد و در تمامی حوزه هایی که افزاره های توده ای قابل استفاده هستند، کاربرد دارد.
تحلیل های عددی نشان می دهند که استفاده از کرنش و پیوند ناهمگون در ساختار این ترانزیستور، موجب بهبود قابلیت حرکت حامل ها، افزایش جریان حالت روشنی و هدایت انتقالی و نیز بهبود مشخصات DC افزاره می گردد. از جمله مشکلاتی که در این افزاره وجود دارد، نشتی تونل زنی نوار به نوار به دلیل استفاده از ماده SiGe می باشد که به افزایش جریان حالت خاموشی در این افزاره منجر می گردد و علی رغم جریان راه انداز بالا، موجب محدودیت در استفاده از این افزاره برای کاربردهای توان پایین می شود. جهت رفع این عیب برای اولین بار از ساختار اکسید نامتقارن و مهندسی زیر نوار برای کاهش جریان نشتی در این افزاره استفاده شده است. ساختار پیشنهاد شده، 93% کاهش در جریان حالت خاموشی ایجاد کرد. همچنین به منظور افزایش بیشتر جریان حالت خاموش، ساختار SHOT دو گیتی پیشنهاد شد که جریان راه انداز آن تقریبا دو برابر SHOT تک گیتی می باشد. جهت کاهش جریان نشتی افزاره SHOT دو گیتی از ایده اکسید گیت نامتقارن و مهندسی تابع کار استفاده شده است. ساختار پیشنهاد شده 90% کاهش در جریان نشتی ایجاد نموده است.
همچنین با در نظر گرفتن تاثیرات مهمی که اثرات خودگرمایی در کاهش جریان افزاره و بروز پدیده مقاومت منفی دارد، ساختار MOSFET با پیوند ناهمگون در سورس با ساختار عایق چند لایه ای پیشنهاد شد. ساختار پیشنهادی، دمای افزاره در کانال را کاهش می دهد و مشخصه جریان خروجی ترانزیستور را بهبود می بخشد.
تکه هایی از متن به عنوان نمونه :
(ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است)
چکیده
در این پژوهش، چگونگی طرح و پیادهسازی سیستم تشخیص تهاجم به شبکه های رایانهای مبتنی بر ساختار شبکه های عصبی ارائه شده است. استفاده از شبکة عصبی در این سیستمها باعث بالا رفتن انعطاف پذیری سیستم میشود. از سوی دیگر، بکارگیری شبکة عصبی، سیستم را قادر به یادگیری رفتار حملات میکند، تا بتواند بدون نیاز به بهنگام سازی قادر به تشخیص حملات جدید شود. در این پژوهش از دو شبکة عصبی ایستا و پویا (Elman و MLP) استفاده و در پایان، نتایج عملکرد این دو سیستم با هم مقایسه شده است. شبکه های MLP دولایه و سه لایه به ترتیب قادر به شناسایی 90/99% و 91/41% حملات بودند. شبکه های Elman دولایه و سه لایه نیز به ترتیب قادر به شناسایی 91/37% و 89/94% حملات بودند.
مقدمه
شبکه های کامپیوتری علیرغم منافعی از قبیل اشتراک قدرت محاسباتی و منابع، خطراتی را نیز خصوصا در زمینه امنیت سیستم به همراه آورده اند. در طی دو دهه اخیر تلاشهای تحقیقاتی فراوانی در زمینة امنیت شبکه صورت گرفته و تکنیک های مختلفی برای ساختن شبکه های امن ارائه شدهاند. در این پایان نامه عملکرد دو شبکة عصبی تحت سرپرست MLP و Elman در تشخیص تهاجم به شبکه های رایانه ای بررسی شده است. در فصل 1 کلیات این پژوهش شامل هدف، تحقیقات انجام شده و نحوه انجام پژوهش بررسی شده است. در فصل 2 توضیحاتی در خصوص شبکه های عصبی MLP و Elman و نحوه آموزش این شبکه ها ارائه شده است. در فصل 3 سیستمهای تشخیص تهاجم، به همراه انواع و نحوه کار آنها بررسی شده است. همچنین در مورد برخی انواع حملات قابل تشخیص توسط این سیستمها نیز توضیحاتی ارائه شده است. در فصل 4 در خصوص داده های آموزش و آزمون KDD CUP 99 و همچنین نحوه پیش پردازش این داده ها، جهت تبدیل آنها به قالب مورد قبول شبکة عصبی، توضیحاتی ارائه شده است. در فصل 5 سیستم های تشخیص تهاجم مبتنی بر شبکه های عصبی ایستا و پویای MLP و Elman توضیح داده شدهاند و سپس عملکرد این شبکه ها در تشخیص حملات و دستهبندی آنها به 5 گروه خروجی، بررسی و مقایسه شده است. در پایان فصل 6 به نتیجه گیری، بیان پیشنهادات و نیز ارائه پیوست های لازم پرداخته است.
فصل اول
بررسی خواص فیزیکی و مکانیکی نانو کاپوزیت های پلیمری
یک مطلب دیگر :