2-6- رهسپار راههای تازه
فصل سوم
1-3-ادبیات زنانه
2-3-زبان زنانه
3-3-زبان شناسی اجتماعی
4-3-تفاوتهای زبان زنان و مردان
1-4-3رویکرد توصیفی نسبت به زبان زنان
2-4-3رویکرد توصیفی نسبت به زبان زنان
5-3-هلن سیکسو(Helen Cixous)
6-3-ژولیا کریستوا
7-3-تحلیل گفتمان
1-7-3زبان شناسی
8-3-خاستگاه های نظری تحلیل گفتمان
1-7-3زبان شناسی
2-8-3-ظهور نظریه توانش زبانی چامسکی
3-8-3- نظریه کنش گفتاری
یک مطلب دیگر :
این رساله می کوشد تا چگونگی به کارگیری عنصر زبان را با توجه به جنسیت نویسندگان درنثر دونسل از داستان نویسان معاصر ایران بررسی کند و از این رهگذر به این شناخت نائل شود که شیوه متفاوتی که زنان و مردان در استفاده از زبان(نثر داستانی) دارند چگونه متحول شده است .این رساله اهداف جزئی تر زیر را برای خود قائل شده است :
-بررسی و مقایسه نثر نویسندگان زن و مرد از منظر کاربردصنایع بدیع لفظی (قاعده کاهی یا هنجارگریزی در جهت ادبی کردن متن)
3-5 منطق فازی. 39
3-6 اتصال دهنده ها. 39
3-7 رابط ایجاب. 41
3-8 استنتاج. 41
3-9طراحی کنترل کننده های فازی. 42
3-9-1 ساختار یک کنترل کننده فازی. 43
3-9-2 پیش پردازش. 44
3-9-3 فازی کننده. 45
3-9-4 پایگاه قواعد. 45
یک مطلب دیگر :
برای دیدن جزییات بیشتر و دانلود پایان نامه اینجا کلیک کنید
برای رعایت حریم خصوصی نام نگارنده درج نمی شود
تکه هایی از متن به عنوان نمونه : (ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است)
فصل اول
مقدمه
کارایی ادوات نیمه هادی در مصارف مختلف، به چگونگی ساختار آن ها و پارامترهای مختلف الکتریکی وابسته است. در میان افزاره های مختلف نیمه هادی، ترانزیستورهای اثر میدان توجه صنعت الکترونیک را به خود جلب کرده است. کارایی بالای این افزاره ها، موارد استفاده ی آن ها را از نانوتکنولوژی تا ترانزیستورهای قدرت گسترش داده است ]3-1[. در افزاره های قدرت، پارامترهایی از قبیل ولتاژ شکست، مقاومت حالت روشن ، سرعت کلیدزنی و فرکانس کاری، از ویژگی های الکتریکی مهم تر می باشند. بنابراین، برای بهبود کارایی این دسته از افزاره ها می بایست ضمن بررسی عملکرد دقیق هر ساختار، روش های نوینی را ارائه و مورد ارزیابی قرار داد.
در این فصل به بررسی مشخصه ی ترانزیستور اثر میدان پرداخته می شود، تا با درک مفهوم کلی و نحوه ی سازوکار این ترانزیستور ها، بتوان ترانزیستورهای قدرت را مورد ارزیابی قرار داد. در ادامه ی این فصل نیز به کاربردهای افزاره های قدرت و انواع آن ها اشاره شده است.
1-1) مشخصات جریان-ولتاژ ترانزیستور اثر میدان MOSFET
مشخصه ی جریان- ولتاژ ترانزیستور MOS در شکل (1-1) نشان داده شده است. چنانچه ولتاژ مثبت VD بین درین و سورس و ولتاژ VG کمتر از ولتاژ آستانه به گیت اعمال شود، افزاره در حالت انسداد قرار می گیرد. این ولتاژ انسداد MOSFET با شکست بهمنی محدود می شود. با توجه به شکل (1-1)، در ولتاژهای VD پایین، مشخصه ی جریان-ولتاژ شبیه یک خط راست می باشد که به این قسمت، ناحیه ی اهمی ترانزیستور می گویند.
با توجه به شیب خط راست و برای یک ولتاژ گیت معیّن VG، مقاومت حالت روشن بدست می آید. همچنین در این مشخصه، گذر بین ناحیه اهمی و ناحیه سوراخ شدگی ، شبه اشباع نامیده می شود.
همان طور که در شکل مشاهده می شود، این ناحیه به صورت سهمی وار است.
شکل (1-1)- مشخصه جریان-ولتاژ ترانزیستور MOSFET ]4[.
یک مطلب دیگر :
3-4- مراحل کار ……………………………………………………………………………………………………………………….33
3-4-1- طرز تهیه محیط کشت……………………………………………………………………………………………………33
3-5- اندازه گیری صفات مورفولوژیکی………………………………………………………………………………………..34
3-6- تعیین کمترین غلظت بازدارندگی…………………………………………………………………………………………34
3-7- درصد بازدارندگی از رشد…………………………………………………………………………………………………..34
3-8- محاسبات آماری………………………………………………………………………………………………………………..35
یک مطلب دیگر :